一,GC-9560-HG硅烷純度分析氦離子氣相色譜儀的應(yīng)用領(lǐng)域:
硅烷在大規(guī)模集成電路(LSI)、超大規(guī)模集成電路(VLSI)和半導(dǎo)體器件制造中,用于氣相外延生長、化學(xué)氣相淀積等工藝(工序)。
1. 外延(生長)混合氣 在半導(dǎo)體工業(yè)中,在仔細選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法,生長一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,氧化硅膜淀積,氮化硅膜淀積,太陽能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。
2. 化學(xué)氣體淀積(CVD)用混合氣 CVD是利用揮發(fā)性化合物,通過氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法,即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法。依據(jù)成膜種類,使用的化學(xué)氣相淀積(CVD)氣體也不同。
二:硅烷中微量雜質(zhì)的分析一直是色譜分析的難點。
目前多數(shù)采用的熱導(dǎo)檢測器由于靈敏度有限,很難測定5ppm以下的雜質(zhì);火焰離子化檢測器和氧化鋯檢測器是選擇性的檢測器,只能分析少數(shù)幾種氣體雜質(zhì),均不能很好的滿足硅烷氣體分析的基本要求。
PDHID檢測器(脈沖放電氦離子檢測器)是一種靈敏度的通用型檢測器,對幾乎所有無機和有機化合物均有很高的響應(yīng),特別適合*氣體的分析,是*能夠檢測至ng/g(ppb)級的檢測器。